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신현석 교수팀, Nature 지 게재 질화붕소(BN) 기반 초저유전율 절연체 개발

  • 2021.03.11


“더 작고 빠르게”… 미래 반도체 핵심 신소재 발견

UNIST·삼성전자 종합기술원, 반도체 내부 전기 간섭 최소화하는 소재 개발

'소자 미세화'로 반도체 집적도·정보처리 속도 향상… Nature 논문 게재


신현석 교수 연구팀은 삼성전자 종합기술원과 공동으로 반도체 소자내부의 전기적 간섭을 줄이는 초저유전율 절연체를 개발했다.